Samsung đang chuẩn bị để tận dụng cơ hội đến từ nhu cầu khổng lồ về các giải pháp bộ nhớ chất lượng cao do sự đổ xô vào AI. Mới đây, công ty này đã nhận được rất nhiều lời khen ngợi cho các sản phẩm bộ nhớ băng thông cao mới từ các nhà sản xuất hàng đầu như NVIDIA, một trong những công ty dẫn đầu thị trường bán dẫn AI.

Công ty hiện đang tìm cách mở rộng danh mục sản phẩm của mình để phục vụ nhu cầu đang tăng lên từng ngày. Với mục tiêu đó, dự kiến Samsung sẽ giới thiệu các sản phẩm 3D DRAM của mình vào năm tới, để cạnh tranh tốt hơn với đối thủ trong nước là SK Hynix và thiết lập vị thế dẫn đầu trong thị trường chip AI toàn cầu.

Samsung muốn thống trị phân khúc chip bộ nhớ AI

Samsung đã chia sẻ lộ trình phát triển 3D DRAM của mình vào tháng trước. Các ô nhớ được xếp chồng lên theo chiều dọc trong một 3D DRAM, điều này làm tăng gấp ba khả năng lưu trữ mỗi đơn vị, so với phương pháp hiện tại của việc xếp chúng theo chiều ngang. Đây là một phương pháp tương tự như bộ nhớ băng thông cao.

Dự kiến ​​một phiên bản sớm của 3D DRAM của Samsung sẽ được ra mắt vào năm sau dựa trên công nghệ transistor kênh dọc (vertical channel transistor). Công ty dự kiến sẽ ra mắt stacked DRAM, trong đó tất cả các ô đều được xếp chồng lên nhau bao gồm cả tụ điện (capacitor), vào năm 2030.

3D DRAM có thể giúp Samsung trở thành người dẫn đầu trong ngành công nghiệp chip AI, chiếm ngôi vị này từ SK Hynix, hiện đang sở hữu 90% thị phần trong thị trường toàn cầu cho HBM và DRAM cho các ứng dụng AI. Hiện SK Hynix vẫn chưa chia sẻ bất kỳ lộ trình nào cho 3D DRAM mặc dù có nhiều nguồn tin cho rằng họ cũng đang nghiên cứu công nghệ này.

Samsung đang triển khai các kết hoạch để tiếp cận thị trường đang mở rộng trên toàn cầu dành cho 3D DRAM, thị trường này được dự đoán sẽ tăng lên 100 tỷ đô la vào năm 2030 với nhu cầu cao cho các giải pháp bộ nhớ AI.

Nguồn: sammobile.com

thiết kế vi mạch từ cơ bản đến nâng cao, các bạn có thể tìm hiểu tại bài viết IC Overview – ICTC nhé.